美日20多厂合作 研发MRAM技术

【新唐人2013年11月24日讯】 “日经新闻”今天(24日)报导,日本及美国超过20家晶片制造商,将携手开发下一代磁阻式随机存取记忆体(MRAM)的量产技术。

据中央社编译报导,美国晶片大厂美光科技公司(Micron Technology)及东京威力科创公司(Tokyo Electron)将主导合作开发案,希望于3年内让技术臻于成熟,并于2018年开始量产。

日经报导,磁阻式随机存取记忆体容量将是动态随机存取记忆体(DRAM)的10倍,功耗将降低至目前标准的约2/3。

根据支持者,MRAM将提高运算速度并降低耗电量,电池续航力将更强大。

日经报导,信越化学工业株式会社(Shin-Etsu Chemical)、瑞萨电子公司(Renesas Electronics)及日立(Hitachi)等企业,都参与这项合作开发案。

根据报导,日本东芝(Toshiba)及南韩海力士(SK Hynix)也另外合力开发MRAM技术,南韩三星电子(Samsung Electronics)则是自行研发MRAM技术。

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