【新唐人2010年12月12日讯】(中央社记者张建中新竹12日电)DRAM 价格持续破底，12月来再下跌逾1成；NAND Flash产品价格则触底回升。业者表示，平板电脑排挤笔记型电脑市场需求，是导致两项记忆体产品市况不同调的主因。
根据集邦科技调查，动态随机存取记忆体 (DRAM)市场第4季严重供过于求，产品价格急遽走跌；DDR31Gb颗粒现货均价10月下跌12.68%，11月再下跌26.8%，12月来又再下跌11.45%。
第4季来DDR3 1Gb颗粒现货均价已自2.05美元，惨跌至1.16美元，跌幅已高达43.4%，远超过市场原预期的3成水准。
储存型快闪记忆体 (NAND Flash)部分，市场主流的32Gb MLC产品现货均价在10月下跌19.8%后，11月产品价格已触底回升，上扬8.48%，12月来再上涨约8.2%。
第4季来32Gb MLC现货均价仅自6.17美元，小幅滑落至5.81美元，跌幅仅约5.8%。
DRAM厂南科指出，市场依然供过于求，12月因客户年终管控库存更趋严格，进货保守，DRAM产品价格跌价压力仍大。
记忆体模组厂也普遍预期，DRAM产品价格仍将持续走跌；其中，创见资讯即表示，DRAM报价持续下滑，库存策略仍将以保守态度因应。
模组厂对NAND Flash市况看法则相对乐观，创见及威刚11月NAND Flash产品出货及业绩已同步较10月成长2成以上水准；其中，创见还预期，12月及明年1月出货量可望持续稳健增加。
记忆体业者表示，平板电脑排挤笔记型电脑市场需求是导致近期DRAM与NAND Flash市况出现明显差异的主要原因。
集邦科技即估计，将有15%至20%平板电脑将取代原有笔记型电脑需求；受平板电脑产品瓜分市场，今年第3季笔记型电脑出货量仅较去年同期成长10.5%，第 4季出货更恐将较去年同期减少0.4%。
明年平板电脑出货量可望自今年的1500万台，大增至5200万台，相对明年笔记型电脑出货量将仅较今年成长15.4%，成长幅度小于往年 2成以上水准。
平板电脑的代表产品苹果iPad仅采用DDR介面的行动记忆体，配备的DRAM容量为256MB，远小于笔记型电脑一般配备容量2GB；反观iPad采用快闪磁碟，容量有16GB、32GB及64GB。
随着平板电脑市场规模不断扩大，恐将连带造成DRAM与NAND Flash市场的消长；压缩DRAM市场需求，却有助提升对NAND Flash需求。
