海力士研发出40奈米级记忆体晶片

【新唐人2009年2月8日讯】(中央社首尔8日法新电)南韩的海力士半导体公司(Hynix Semiconductor)今天宣布,已使用最细微技术研发出全球密度最高记忆体晶片。海力士这种崭新的“DDR3 DRAM”(DDR3动态随机存取记忆体)晶片采用的技术,能让内部线路相距仅40奈米,细微度是目前产品的1/5 。

一奈米等于10亿分之一公尺。制程越细微,制造记忆体晶片的技术越先进,此晶片广泛应用于电脑和其他电子装置。

海力士表示,这项新产品的生产效率较现有晶片提升50%,因为比现有制程耗费更少能源和成本。海力士说,将从今年第三季开始量产。

海力士发言人说:“海力士成为成功应用40奈米级技术至DDR3 DRAM晶片的全球首家厂商。研发出此新晶片,将有助于海力士在快速变迁的记忆体晶片市场继续维持领先地位。”

全球经济下滑严重打击记忆体晶片产业,由于全球需求剧跌,日本东芝公司(Toshiba)被迫减产,台湾多家主要厂商也寻求政府纾困。

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