海力士研發出40奈米級記憶體晶片

【新唐人2009年2月8日訊】(中央社首爾8日法新電)南韓的海力士半導體公司(Hynix Semiconductor)今天宣布,已使用最細微技術研發出全球密度最高記憶體晶片。海力士這種嶄新的「DDR3 DRAM」(DDR3動態隨機存取記憶體)晶片採用的技術,能讓內部線路相距僅40奈米,細微度是目前產品的1/5 。

一奈米等於10億分之一公尺。製程越細微,製造記憶體晶片的技術越先進,此晶片廣泛應用於電腦和其他電子裝置。

海力士表示,這項新產品的生產效率較現有晶片提升50%,因為比現有製程耗費更少能源和成本。海力士說,將從今年第三季開始量產。

海力士發言人說:「海力士成為成功應用40奈米級技術至DDR3 DRAM晶片的全球首家廠商。研發出此新晶片,將有助於海力士在快速變遷的記憶體晶片市場繼續維持領先地位。」

全球經濟下滑嚴重打擊記憶體晶片產業,由於全球需求劇跌,日本東芝公司(Toshiba)被迫減產,台灣多家主要廠商也尋求政府紓困。

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