【新唐人2017年01月02日訊】產業消息來看到，中國紫光集團宣布，投入快閃記憶體戰場，在武漢興建全球規模最大廠房，總投資金額超過240億美元，這項消息引發產業界震撼
紫光集團董事長 趙偉國：「我們在武漢投資兩百四十億美金的芯片工廠，已經正式動工，昨天我剛剛在成都，和四川省簽下了兩千億的協議。我們會在那裏投資一個，也是一個超過兩百億美金芯片的工廠」
2016年12月，紫光集團趙偉國，布局半導體戰略，先是與成都市、新華集團共同簽署戰略合作協議，要在四川打造百億雲計算中心。
12月30日，紫光宣布動工，興建三座全球最大3D儲存型快閃記憶體（NAND Flash）廠，地點選在武漢東湖高新區，占地1,968畝，投資金額240億美元，第一期計畫2018年建成啟用投產，2020年全部完工，月產能將達到30萬片，年產值超過100億美元。
紫光集團董事長 趙偉國：「來滿足中國本土市場，和國家戰略以及產業發展的需要。」
這項投資計畫，引發市場震撼，尤其是投資方面，結合紫光集團、中國國家集成電路大基金，還有地方政府共同出資，可說以國家戰略推動，結合市場企業運作的合作模式。
台經院產業顧問 劉佩真：「不過如果就中長期來看，中國在記憶體的一個市場，勢必會進行零到壹的突破，勢必會打破目前Nand Flash，由韓國日本跟美國業者寡佔的一個局面，其實都會帶來比較大的競爭壓力。」
全球快閃記憶體主要廠商，包括南韓三星、SK海力士，美國旗下英特爾、美光，以及日本東芝，產量各自約占四萬片到十萬片，近期不約而同喊話加碼擴廠，如今紫光也宣布2018年投產下，恐怕引發產能競賽，市場供過於求。
尤其紫光的下一步，恐怕將跨足DRAM製造，找來高啟全擔任重要高層幹部，預料對半導體業界人才挖角態勢，會更加明顯。
新唐人亞太電視沈唯同台灣台北報導
