20及30奈米制程 主流技术

【新唐人2013年01月07日讯】(中央社记者张建中新竹7日电)研调机构集邦科技预期,服务器与行动记忆体将成今年动态随机存取记忆体(DRAM)市场主流,20奈米及30奈米制程将是主流技术

集邦科技表示,随着英特尔Haswell即将发表,行动记忆体可望导入笔记型电脑应用市场;另外,受惠线上云端服务成长,服务器记忆体容量将增加3成。

反观个人电脑DRAM位元恐将衰退27%,集邦科技预期,服务器与行动记忆体将成今年DRAM市场主流,预期将占整体DRAM的2成。

集邦科技表示,台系DRAM厂今年将退出个人电脑DRAM市场,转进利基型DRAM及晶圆代工领域;全球DRAM市场将由三星、海力士及美光寡占,3厂商将囊括超过9成市占率。

集邦指出,导入20奈米制程技术需添置极紫外光(EUV)设备,成本远高于浸润式设备,部分DRAM厂因而将导入20奈米以下制程技术时程延迟至明年,预期20奈米及30奈米制程仍将是今年市场主流技术。

集邦预期,减产效应可望为个人电脑DRAM市场带来转机,产品价格将可逐步回复至健康水位。

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