【新唐人2012年11月04日讯】(中央社记者张建中新竹4日电)随着DRAM价格止跌回稳，NAND Flash价格走扬，记忆体模组厂第4季旺季业绩成长可期。
动态随机存取记忆体(DRAM)供过于求情况严重，第3季价格一路滑落；储存型快闪记忆体(NAND Flash)则在供应商减产效应发酵，加上系统厂新机备货需求增温，价格呈先蹲后跳走势。
受DRAM价格不断破底冲击，国内DRAM制造厂第 3季亏损同步扩大，包括力晶、南科及华亚科3家 DRAM厂合计亏损逼近新台币200亿元，较第2季增加66.5亿元，增幅达52%。
随着亏损扩大，DRAM制造厂财务状况进一步恶化，力晶第3季底每股净值转为负1.36元，股票将于12月11日终止柜台买卖。
华亚科第3季底每股净值则跌破5元关卡，滑落至4.75元，将沦为全额交割。
南科第3季底每股净值仅剩0.12元，为避免股票面临下柜危机，并因应制程技术推进至30奈米资金需求，南科计划办理109.35亿股额度内私募增资。
尽管第3季DRAM与NAND Flash价格同步走跌，不过，NAND Flash价格于9月止跌反弹，部分记忆体模组厂受惠NAND Flash低价存货效益，致记忆体模组厂第3季营运表现明显不同调。
以DRAM产品为主的商丞及品安，第3季深受DRAM价格下跌影响，两公司营运同步亏损，每股亏损分别为0.45元及0.25元。
威刚也因DRAM价格走跌冲击，第3季税后净利骤降至3490万元，较第2季减少达78.82%，每股纯益约0.17元。
创见则受惠工业控制市场布局效益显现，加上有效库存管理，第3季获利得以逆势成长，达9.31亿元，季增29.5%，并创下近11季来新高纪录，每股纯益2.16元。
以NAND Flash产品为大宗的广颖电通，因受惠低价库存效益，第3季税后净利达1.08亿元，更较第2季成长达1.22倍，表现亮丽，每股纯益约1.93元。
营运与NAND Flash密切关联的记忆体控制晶片厂群联电子，第3季营运同样有不错表现，税后净利达8.22亿元，季增达4成，每股纯益4.6元。
展望未来，随着供应商减产效应逐步发酵，DRAM产品价格逐步止跌回稳，NAND Flash在多数供应商持续采取供货控管策略，加上手机及平板电脑备货动能依然强劲，产品价格可望延续攀升走势。
不仅DRAM制造厂亏损可望改善外，记忆体模组厂也普遍看好，第 4季旺季效应应可发酵，营运表现将可较第3季成长。
