20奈米制程 行动装置达Tb

【新唐人2011年12月8日讯】(中央社记者吴佳颖台北8日电)美光科技今天发表一款采用英特尔和美光合资技术的20奈米制程NAND装置，是业界第一个能存储1 Tb(128GB)资料的单片装置，仅指尖大就可让行动装置记忆空间达Tb等级。

英特尔(Intel)和美光科技(Micron)今天宣布推出世界第一款20奈米的1Tb(128Gb)的NAND多层单元(MLC)装置，双方合资的IMFT公司也宣布64Gb/20奈米的NAND装置正式量产。

今年4月间，英特尔才宣布与美光针对快闪记忆体NAND Flash产品合资IM Flash Technologies公司，会以20奈米(nm)制程技术进行生产，现在64Gb/20奈米的NAND装置已经进入量产；美光也表示，明年上半年度将进行128GB版本的量产。

美光科技今天发表采用英特尔和美国合资技术新的20奈米128Gb单片装置，是业界第一个能存储1 Tb(128GB)资料的器件，在仅有手指尖大小的空间内，封装8片裸片，可满足高速ONFI 3.0规范的要求，达到333MT/s的传输率，提供Tb等级的储存空间，进一步让平板或手机记忆使用空间变得更大。

美光科技NAND解决方案事业部门行销总监Kevin Kilbuck表示，美光无论在34奈米、25奈米，到现在20奈米这3个阶段，都是领先量产的厂商，美光今年在客户端的固态硬碟领域(Client SSD)有超过5%的市占，未来会持续成长。