联电与星厂开发3DIC技术

【新唐人2013年01月29日讯】(中央社记者张建中新竹29日电)联电与新加坡半导体封测厂星科金朋合作，成功在开放式供应链环境下，开发出内嵌硅穿孔(TSV)的3D IC技术。

联电今天表示，与星科金朋成功开发的3DIC技术，由Wide I/O记忆体测试晶片与内嵌TSV的28奈米微处理器测试晶片所构成，已达成封装层级可靠度评估的重要里程碑。

联电这次结合28奈米HKMG制程，与星科金朋的晶圆薄化、晶圆背面整合、细微线距铜柱凸块，及高精密度晶片对晶片3D堆叠等中段与后段制程。

联电指出，与星科金朋的合作成功，确立3DIC开放式供应链运作方式，不须局限在封闭的商业模式下开发。

联电表示，开放式供应链模式，晶圆代工与封装测试厂可充分发挥各自的核心优势，客户将可受惠更高的供应链管理弹性，技术取得也将更透明。