產業回顧與展望專題系列十(中央社記者張良知台北二十八日電)在記憶體產能供過於求及消費市場需求不振的雙重影響下，記憶體模組廠商不僅今年第三季無旺季效應可言，更面臨價格下滑的庫存壓力；展望第四季，業者除寄望製造端持續減產穩住價格外，也期待全球經濟回溫能帶動耶誕節的消費需求。
DRAM(動態隨機存取記憶體)產業今年處於近15年來最大的空頭，加上製造大廠 9月後可能變成現金淨流出，在目前產業仍供過於求的情況下，力晶率先宣佈減產10%至15%，爾必達 (Elpida)也跟進減產1成，韓系大廠海力士 (Hynix)於9月18日宣佈減產20%的DRAM產能。
但是，減產所帶動的短期股價反彈，並未激勵報價回升，在減產幅度不足、效應仍需時間發酵下，DRAM9月下旬合約價出乎市場預期重挫逾 16%，最大跌幅甚至接近兩成，創一年來最大跌幅，報價再度觸及歷史新低，並預期10月持續看跌。
根據集邦科技(DRAMeXchange)報價，9月下旬512Mb與1Gb容量DDRII晶片同步重挫，跌幅介於16.64%至19.2%，均價各為0.72美元與1.44美元，都是DDRII問世以來的最低價。
上游晶片價格持續滑落，下游模組產品價格同步走跌。9月下旬 1GB與2GB DDRII模組價格破底，跌幅高達13.89%至15.63%，均價分別為14.5美元及29美元的歷史新低價。
另外，繼DRAM報價續挫後，9月下半月 NAND Flash(NAND型快閃記憶體)合約價，也因主要應用的消費性電子產品對Flash需求不振，以及市場能見度不高下，MLC（多層式儲存格）規格合約價格全面下跌，在主流顆粒的部分，8Gb跌幅約12%、16Gb跌幅則約10%。
由於歐美地區的消費力道轉弱，NAND Flash第三季合約價加速下跌，其中8月合約價跌幅達2成的水準，9月跌幅亦超過15%，第三季整體跌幅超過3成，今年以來跌幅則超過 8成；因模組廠及製造廠為避免季報提列庫存損失，在保守留金的策略下，季底清庫存的動作恐將持續，短期價格反彈不易。
威剛科技董事長陳立白表示，由於供過於求及需求不振的二個問題持續存在，DRAM及NAND Flash今年沒有旺季可言。近期上游廠減產，只是「做了早就該做的事情」，但重點是幾家DRAM廠會跟進；陳立白認為，DRAM及NAND Flash未來二個月還有跌價空間，最辛苦的時間還沒到。
集邦科技分析師表示，在力晶與爾必達宣佈減產後，海力士也宣佈減產20%的DRAM產能。由於海力士在全球市佔率約20%，估算所減少的產能約佔全球DRAM產出的3%至3.5%，加上力晶與爾必達減產的部份，集邦科技估計，目前所減少的產能約佔全球產能的5%至6%左右。
集邦科技認為，DRAM顆粒價格已跌至現金成本 1.3美元至1.5美元間，加上 DRAM市場自2007年第二季以來歷經連續七季的虧損，更讓DRAM廠面臨到史無前例的龐大財務壓力；因此若成本結構不佳DRAM廠，後續跟進減產行列，使全球產能減少8%至10%，將有利 DRAM市場提早復甦。
整體來看，由於DRAM及NAND Flash短期價格仍不易跌深反彈，國內相關記憶體模組廠第三季在價格續跌的情況下，營運壓力不小。
展望第四季，模組廠商寄望於南韓三星電子(Samsung Electronics)等大廠是否持續加入減產，才能使價格有機會止跌走穩，而感恩節及耶誕節能否刺激壓抑已久的買氣，將是需求面今年的寄望。
