未來手機將超快! 新3D XPointt芯片速度增千倍

【新唐人2015年07月29日訊】(新唐人記者任浩綜合報導)英特爾與美光科技公司7月29日聯合發布名為「3D XPoint」的記憶體晶片,讀和寫的速度比現在的「NAND Flash」快1,000倍,或將對運算裝置、服務與應用帶來劃時代的變革。對普通用戶來說,未來電腦、手機速度將超快。

CNET報導,英特爾(Intel)與美光科技公司(Micron Technology)7月29日聯合發佈一種新型記憶體晶片「3D Xpoint」(發音為3D Cross Point),速度比傳統方式快一千倍,耐用度增加一千倍,密度高出10倍,可以用於系統存儲器和非易失性存儲,也即可以替換現在的SSD和RAM,讓個人電腦和智能手機等設備速度飛增。

英特爾與美光表示,3D XPoint技術是迄今儲存晶片技術一個重大的突破,是1989年NAND Flash推出以來,開啟全新類別的非揮發性記憶體(NVM)。CNET報導評價:「3D XPoint的存儲數據的方式,與現在的NAND技術採用了完全不同的方式。」「不再是傳統方法的在電容上存儲細胞,而是改變存儲細胞的屬性。」

大紀元引述彭博社報導,3D XPoint新技術完全改變了儲存晶片的架構,整個技術以垂直導體連結1280億個高密度規格記憶體儲存單元,並堆疊出來的交叉式陣列結構,改善過去經常發生因儲存晶片(或硬碟)導致的延緩情況。

英特爾副總克羅希(Rob Crooke)表示,數十年來,業界都在尋找降低處理器與資料間滯後的方法,容許更快速的分析。「這種新型的非揮發性記憶體達到這個目標,對解決記憶體與儲存器間問題,帶來突破性的變革」。

不過3D XPoint儘管很快會量產,但其價格定位比NAND Flash高很多,所以短時間內3D XPoint仍無法代替RAM。

預計從2016年開始,使用3D XPoint技術的新產品將提供給消費者。

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