瑞薩新晶片 最低LTE耗電

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【新唐人2013年02月23日訊】(中央社記者吳佳穎台北23日電)行動通訊半導體方案平台供應商瑞薩通信技術本部宣布,旗下第3代的GSM/HSPA+/LTE FDD/ LTE TDD多模數據晶片支援完整的LTE Cat-4流量,有最低LTE耗電表現和更高速度。

瑞薩通信技術本部 (Renesas Mobile Corporation)發布資料指出,晶片支援完整的長程演進技術(LTE) Category 4流量,可達150Mbits下載和50Mbits上傳,有業界最低的LTE耗電表現,具備更高速度和更長的電池壽命。

瑞薩通信指出,新晶片在20MHz頻寬運用Cat-4的耗電效率表現優於主要競爭產品達45%,每Mbit僅需2mA,除了提高了電池壽命,在下載大型檔案時,像是影片、音樂、和瀏覽複雜的網頁等,也可讓使用者保持連線,維持較長的時間無須充電。

另外,新的第3代多模數據晶片有極小的尺寸,比前一代的小了45%,超低耗電和高度的整合,讓OEM廠商能加速產品布局,降低研發心力和風險。

瑞薩通信技術本部的資深副總騰胡能(Heikki Tenhunen)表示,這款次世代的超薄數據晶片平台,將能讓代工製造(OEM)廠商設計出能利用高速流量,執行互動遊戲時低遲滯、快速瀏覽網頁和串流影片、以及高資料量的企業軟體的行動裝置。

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