記憶體模組今年無旺季 Q4廠商盼減產穩價

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產業回顧與展望專題系列十(中央社記者張良知台北二十八日電)在記憶體產能供過於求及消費市場需求不振的雙重影響下,記憶體模組廠商不僅今年第三季無旺季效應可言,更面臨價格下滑的庫存壓力;展望第四季,業者除寄望製造端持續減產穩住價格外,也期待全球經濟回溫能帶動耶誕節的消費需求。

DRAM(動態隨機存取記憶體)產業今年處於近15年來最大的空頭,加上製造大廠 9月後可能變成現金淨流出,在目前產業仍供過於求的情況下,力晶率先宣佈減產10%至15%,爾必達 (Elpida)也跟進減產1成,韓系大廠海力士 (Hynix)於9月18日宣佈減產20%的DRAM產能。

但是,減產所帶動的短期股價反彈,並未激勵報價回升,在減產幅度不足、效應仍需時間發酵下,DRAM9月下旬合約價出乎市場預期重挫逾 16%,最大跌幅甚至接近兩成,創一年來最大跌幅,報價再度觸及歷史新低,並預期10月持續看跌。

根據集邦科技(DRAMeXchange)報價,9月下旬512Mb與1Gb容量DDRII晶片同步重挫,跌幅介於16.64%至19.2%,均價各為0.72美元與1.44美元,都是DDRII問世以來的最低價。

上游晶片價格持續滑落,下游模組產品價格同步走跌。9月下旬 1GB與2GB DDRII模組價格破底,跌幅高達13.89%至15.63%,均價分別為14.5美元及29美元的歷史新低價。

另外,繼DRAM報價續挫後,9月下半月 NAND Flash(NAND型快閃記憶體)合約價,也因主要應用的消費性電子產品對Flash需求不振,以及市場能見度不高下,MLC(多層式儲存格)規格合約價格全面下跌,在主流顆粒的部分,8Gb跌幅約12%、16Gb跌幅則約10%。

由於歐美地區的消費力道轉弱,NAND Flash第三季合約價加速下跌,其中8月合約價跌幅達2成的水準,9月跌幅亦超過15%,第三季整體跌幅超過3成,今年以來跌幅則超過 8成;因模組廠及製造廠為避免季報提列庫存損失,在保守留金的策略下,季底清庫存的動作恐將持續,短期價格反彈不易。

威剛科技董事長陳立白表示,由於供過於求及需求不振的二個問題持續存在,DRAM及NAND Flash今年沒有旺季可言。近期上游廠減產,只是「做了早就該做的事情」,但重點是幾家DRAM廠會跟進;陳立白認為,DRAM及NAND Flash未來二個月還有跌價空間,最辛苦的時間還沒到。

集邦科技分析師表示,在力晶與爾必達宣佈減產後,海力士也宣佈減產20%的DRAM產能。由於海力士在全球市佔率約20%,估算所減少的產能約佔全球DRAM產出的3%至3.5%,加上力晶與爾必達減產的部份,集邦科技估計,目前所減少的產能約佔全球產能的5%至6%左右。

集邦科技認為,DRAM顆粒價格已跌至現金成本 1.3美元至1.5美元間,加上 DRAM市場自2007年第二季以來歷經連續七季的虧損,更讓DRAM廠面臨到史無前例的龐大財務壓力;因此若成本結構不佳DRAM廠,後續跟進減產行列,使全球產能減少8%至10%,將有利 DRAM市場提早復甦。

整體來看,由於DRAM及NAND Flash短期價格仍不易跌深反彈,國內相關記憶體模組廠第三季在價格續跌的情況下,營運壓力不小。

展望第四季,模組廠商寄望於南韓三星電子(Samsung Electronics)等大廠是否持續加入減產,才能使價格有機會止跌走穩,而感恩節及耶誕節能否刺激壓抑已久的買氣,將是需求面今年的寄望。

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